半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的 工具之一是功率器件测试系统，普赛斯功率半导体静态测试仪集多种测量和分析功能一体，可以 测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476
系统特点和优势：
单台Z大3500V输出；
单台Z大1000A输出，可并联后Z大6000A；
1的超快电流上升沿；
同步测量；
国标全指标的自动化测试；
系统指标
| 项目 | 参数 | |
| 集电极-发射极 | Z大电压. | 3500V |
| Z大电流 | 6000A | |
| 精度 | 0.10% | |
| 大电压上升沿 | 典型值5ms | |
| 大电流上升沿 | 典型值1 | |
| 大电流脉宽 | 5~50 | |
| 漏电流测试量程 | 1nA~100mA | |
| 栅极-发射极 | Z大电压 | 300V |
| Z大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
| 精度 | 0.05% | |
| Z小电压分辨率 | 30uV | |
| Z小电流分辨率 | 10pA | |
| 电容测试 | 典型精度 | 0.5% |
| 频率范围 | 10Hz~1MHz | |
| 电容值范围 | 0.01pF~9.9999F | |
| 温控 | 范围 | 25℃~150℃ |
| 精度 | ±1℃ | |
测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
普赛斯功率半导体静态测试仪集多种测量和分析功能一体，可 测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，皮安级电流 测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。
选择普赛斯仪表的理由
武汉普赛斯是国内 早生产源表的厂家，产品系列丰富：产品覆盖不同的电压、电流范围，产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用；
普赛斯仪表特色：高电流、高电压测试，3500V电压下可测量pA级漏电流，1000A脉冲电流源1的超快上升沿。详询一八一四零六六三四七六；
